關(guān)于三極管
簡(jiǎn)單講解一下三極管，如果三極管工作在飽和區（完全導通），Rce≈0，Vce≈0.3V，且這個(gè)0.3V，我們就認為它直接接地了。那么就需要讓Ib大于等于1mA，若Ib=1mA, Ic=100mA，它的放大倍數β=100，三極管完全導通。如下圖，是一個(gè)NPN三極管。三極管基礎知識參考文章：四句口訣，玩轉三極管！
三極管屬于電流型驅動(dòng)元器件，因此一般在基極都會(huì )串一個(gè)限流電阻，一般小于等于10K，但是在基極為什么會(huì )下拉一個(gè)電阻呢？舉例說(shuō)明。如下圖，是溫度開(kāi)關(guān)控制馬達電路圖。
如圖是溫度開(kāi)關(guān)控制馬達轉和停，溫度開(kāi)關(guān)相當于一個(gè)按鍵開(kāi)關(guān)。在B極串個(gè)開(kāi)關(guān)，N管就能夠做個(gè)開(kāi)關(guān)管使用。圖中馬達是一個(gè)直流有刷馬達，只要正極接通12V，負極接地，馬達就開(kāi)始轉。
當溫度開(kāi)關(guān)導通，回路I流過(guò)的電流的為
三極管CE完全導通，Vce ? 0.3V，這時(shí)候，馬達兩端的電壓壓降接近 12V,它就能夠轉動(dòng)，因為三極管be的導通后阻抗遠遠小于2K電阻R2，所以電流大部分流過(guò)三極管；當溫度開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，ib 就沒(méi)有電流，ic 也沒(méi)有電流。
由于溫度開(kāi)關(guān)在關(guān)斷的瞬間，三級管ib、ic上的電流并不能夠一下子降到零，而是慢慢降到零，這是制造工藝必然存在的，在這段時(shí)間，三極管是工作在放大區，是Z容易受到干擾。因此需要接個(gè)下拉電阻R2，這個(gè)電阻一是給三極管提供了個(gè)放電回路，二是為點(diǎn)A提供一個(gè)能量分散的通路。
放電回路怎么理解？
如下圖三極管寄生電容，三極管實(shí)際工藝制造模型，三極管BE、BC、CE之間分別有電容C1、C2、C3。這三個(gè)電容的存在一方面是我們不需要的，另一方面，又是工藝中無(wú)法避免克服的，是制造工藝過(guò)程中必然存在的現象。我們把這種電容一般稱(chēng)之為雜散電容，或者說(shuō)是寄生電容。
由于有電容的存在，三極管勢必有延時(shí)。當ib沒(méi)有電流時(shí)，電容C1開(kāi)始放電，形成回路I，這個(gè)時(shí)候B點(diǎn)的電壓從0.7V降到0V，工作在放大區，Z容易受到干擾，在C1兩端加個(gè)電阻R2，電容上的電一部分就會(huì )從電阻R2上釋放掉，并且電阻阻值越小，電容放電越快。因此，電阻R2給電容提供了一個(gè)通路釋放電荷，大大減短了三極管工作在放大區的時(shí)間。
給能量提供一個(gè)分散通路怎么理解？
為什么說(shuō)電阻 R2 為點(diǎn)A提供了一個(gè)能量分散通路。如圖2所示，溫度開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，此時(shí)點(diǎn)A是懸空的，A點(diǎn)電壓不確定，為高阻態(tài)（阻抗無(wú)窮大），容易出現誤導通的現象，而且也容易受到周?chē)h(huán)境干擾，比如靜電、雷擊等使器件YJ損壞。
當使用環(huán)境出現雷擊，高壓靜電等情況，在點(diǎn)A下拉一個(gè)電阻接到地，大部分電流就會(huì )順著(zhù)電阻流入地，給能量提供一個(gè)分散通路。如果沒(méi)有接這個(gè)電阻，當發(fā)生雷擊時(shí)，由于A(yíng)點(diǎn)左邊阻抗無(wú)窮大，A點(diǎn)右邊接三極管，阻抗相對左邊來(lái)說(shuō)是很低的，因此電流會(huì )全部往阻抗低的方向跑，流入三極管，造成電流過(guò)大，使器件YJ性損壞。
關(guān)于MOS管
由于篇幅限制，關(guān)于MOS管基礎知識，移步此處：MOS管基本認識。
下拉電阻的作用有兩個(gè)：
防止在靜電作用下，電荷沒(méi)有釋放回路，容易引起靜電擊穿
MOS管在開(kāi)關(guān)狀態(tài)工作時(shí)，就是不斷的給Cgs充放電，當斷開(kāi)電源時(shí)，Cgs內部可能儲存有一部分電荷，但是沒(méi)有釋放回路，MOS管柵極電場(chǎng)仍然存在且能保持很長(cháng)時(shí)間，建立導電溝道的條件沒(méi)有消失。在下次開(kāi)機時(shí)，在導電溝道的作用下，MOS管立即產(chǎn)生不受控的巨大漏極電流Id，引起MOS管燒壞。 |
