1. N溝道增強型前面已經(jīng)提及，圖3.3.1 中的 MOS 管屬于 N 溝道增強型。這種類(lèi)型的MOS管采用P型襯底，導電溝道是 N 型。在vCS=0時(shí)沒(méi)有導電溝道，開(kāi)啟電壓Vcs(u)為正。工作時(shí)使用正電源，同時(shí)應將襯底接源極或者接到系統的電位上。在圖3.3.1給出的符號中，用1DS間斷開(kāi)的線(xiàn)段表示Vcs=0時(shí)沒(méi)有導電溝道，即MOS管為增強型。襯底 B上的箭頭指向 MOS管內部，表示導電溝道為N 型。柵極引出端畫(huà)在靠近源極一側。
2. P溝道增強型
圖3.3.6 是P 溝道增強型 MOS管的結構示意圖和符號。它采用N 型襯底，導電溝道為 P型。vCS=0時(shí)不存在導電溝道，只有在柵極上加以足夠大的負電壓時(shí)，才能把N型襯底中的少數載流子——空穴吸引到柵極下面的襯底表面，形成P型的導電溝道。因此，P溝道增強型 MOS管的開(kāi)啟電壓Vcs(ak)為負值。這種 MOS管工作時(shí)使用負電源，同時(shí)需將襯底接源極或接至系統的電位上。
P 溝道增強型 MOS管的符號如圖3.3.6 中所示，其中襯底上指向外部的箭頭表示導電溝道為 P型。圖3.3.7 是 P 溝道增強型 MOS管的漏極特性。用P溝道增強型 MOS管接成的開(kāi)關(guān)電路如圖3.3.8 所示。當v=0時(shí)，MOS管不導通，輸出為低電平VoLo只要R遠小于 MOS管的截止內阻.RorF,則。VoL≈VvD。
當v1
3.N 溝道耗盡型
MOS管的結構形式與 N 溝道增強型 MOS管的相同，都采用P型襯底，導電溝道為 N型。所不同的是在耗盡型MOS管中，柵極下面的二氧化硅絕緣層中摻進(jìn)了一定濃度的正離子。
這些正離子所形成的電場(chǎng)足以將襯底中的少數載流子——電子吸引到柵極下面的襯底表面，在D-S間形成導電溝道。因此，在vCs=0時(shí)就已經(jīng)有導電溝道存在了。v為正時(shí)導電溝道變寬，i增大；v為負時(shí)導電溝道變窄，i減小。直到v小于某一個(gè)負電壓值Vcs(m)時(shí)，導電溝道才消失，MOS管截止。Vcs(eI)稱(chēng)為 N 溝道耗盡型MOS管的夾斷電壓。
MOS管接成的開(kāi)關(guān)電路
圖3.3.9 是 N 溝道耗盡型 MOS管的符號,圖中 D-S間是連通的，表示vCS=0時(shí)已有導電溝道存在。其余部分的畫(huà)法和增強型 MOS管相同。
在正常工作時(shí)，N溝道耗盡型 MOS管的襯底同樣應接至源極或系統的電位上。
4. P溝道耗盡型
P 溝道耗盡型 MOS 管與 P 溝道增強型 MOS管的結構形式相同，也是 N 型襯底，導電溝道為P型。所不同的是在 P 溝道耗盡型 MOS管中，vαS=0時(shí)已經(jīng)vC5有導電溝道存在了。當vcs為負時(shí)導電溝道進(jìn)一步加寬，i的增加；而(v為正時(shí)導電溝道變窄，i的減小。當vCS的正電壓大于夾斷電壓VCS(odf)時(shí)，導電溝道消失，管子截止。
圖3.3.10 是 P 溝道耗盡型 MOS管的符號。工作時(shí)應將它的襯底和源極相連，或將襯底接至系統的電位上。
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