概要

CS5263E是一款采用CMOS工藝,電容式升壓型GF類(lèi)單聲道音頻功放,可以為3Ω的負載提供最高7W的連續功率；CS5263E芯片內部固定的28倍增益，有效的減少了外圍元器件 的數量;功放集成了D類(lèi)和AB類(lèi)兩種工作模式即可保證D類(lèi)模式下強勁的功率輸出,又可兼顧系統在有FM的情況下,消除功放對系統的干擾；CS5263E具有獨特的防破音(NCN)功 能,可根據輸出信號的大小自動(dòng)調整功放的增益，實(shí)現更加舒適的聽(tīng)覺(jué)感受. CS5263E的外圍只有低成本的阻容器件,在以鋰電池供電的移動(dòng)式音頻設備中,CS5263E是理想的音頻子系統的功放解決方案.CS5263E的全差分架構和極高的PSRR有效地提高了CS5263E對RF噪聲的抑制能力。另外CS5250E內置了過(guò)流保護和過(guò)熱保護,有效的保護芯片在 異常的工作條件下不被損壞。

CS5263E提供了ESOP10的封裝類(lèi)型,其額定的工作溫度范圍為-40℃至85℃。

特征

集成Charge Pump升壓模塊,集成AB類(lèi)D類(lèi)兩種工作模式GF類(lèi)音頻功放,

輸出功率

Po at  VBAT = 5.0V,  RL=4Ω

THD+N=10%   6.0W(NCN OFF@D MODE)

THD+N=1%  4.8W(NCN OFF@D MODE)

Po at  VBAT = 3.6V,  RL=4Ω+33uH

THD+N=10%   5.0W(NCN OFF@D MODE)

THD+N=1%  4.3W(NCN OFF@D MODE)

Po at  VBAT = 5.0V,  RL=3Ω+33uH

THD+N=10%   7.0W(NCN OFF@D MODE)

THD+N=1%  5.8W(NCN OFF@D MODE)

Po at  VBAT = 3.6V,  RL=3Ω+33uH

THD+N=10%   5.7W(NCN OFF@D MODE)

THD+N=1%  5.0W(NCN OFF@D MODE)

輸入電壓范圍:2.7~5.5V

關(guān)斷電流: <1μA

待機電流: 20mA@5V

D類(lèi)調制頻率: 350KHz

防破音模式開(kāi)關(guān)

AERC專(zhuān)利技術(shù),提供優(yōu)異的全帶寬EMI抑制能力

優(yōu)異的"噼噗-咔嗒"(pop-noise)雜音抑制能力

高的電源抑制比(PSRR)：在217Hz下為-80dB

過(guò)溫保護

過(guò)壓保護

應用

藍牙音箱、便攜式音頻設備

管腳排列以及定義

典型應用電路圖